二氧化硅的湿蚀刻
SiO2膜在微技术中具有两个主要作用：作为介电层或作为掺杂/蚀刻掩模。在这两种情况下，通常都需要图案化。当在高温烘箱中通过硅衬底的氧化获得时，SiO2被称为“热”。否则，它可以通过化学气相沉积（CVD）作为附加层而获得，不需要硅衬底。
氧化物厚度通常在nm和0nm之间（即分别为0和00，这是在薄膜技术中仍非常流行的埃单位的使用）。
它可以容易地用对硅的影响可以忽略不计的化学物质蚀刻。而且，许多硅蚀刻剂不影响氧化物。这种可能性被广泛用于所有基于硅的微技术中。
如果氧化物用作硅加工的高温掩模，则必须预先在低温下使用基于抗蚀剂的微光刻工艺对其进行构图。
当必须在硅上进行室温工艺时，可以避免使用氧化物掩膜，因为抗蚀剂可以直接充当硅的掩膜。但是，有些化学物质可以轻松蚀刻抗蚀剂和硅。典型的例子是硅的各向异性蚀刻，通常在KOH（氢氧化钾）中进行。在这种情况下，稀释的KOH也是用于正性抗蚀剂的典型显影液。因此，蚀刻过程应以黄光进行，抗蚀剂对此不敏感。这是不切实际的。但是即使如此，由于对于硅的可接受的蚀刻速率需要浓缩的KOH，因此再次不能使用抗蚀剂，因为未经稀释的KOH会去除抗蚀剂，即使它没有被曝光。
SiO2的一种非常“选择性”的化学物质（即根本不腐蚀硅）是氢氟酸（HF）。如果直接使用，则这种蚀刻剂对氧化物具有过快和过强的作用，使得底切和线宽控制非常困难。由于这个原因，HF普遍用作“缓冲”溶液，通过调节镀液的PH值，可以保持较低的蚀刻速率并保持恒定。这允许蚀刻时间可靠地与蚀刻深度相关。
行业标准的缓冲氢氟酸溶液（BHF）具有以下配方：
-6体积的氟化铵（NH4F，40％溶液）-1体积的HF。
例如，可以通过将gNH4F与mlH2O混合，然后添加28mlHF来制备。室温下的蚀刻速率范围为0至/min。这取决于氧化物的实际密度，该氧化物作为无定形层可以具有更致密的结构（如果在其中热生长是氧气）或更不致密的结构（如果通过CVD生长）。以下蚀刻反应成立：
SiO2+6HF-H2SiF6+H2O
H2SiF6是水溶性的。
有时，BHF是按照上述配方制备和储存的，但在使用前将其以7：1的比例稀释在水中。这允许更好地控制蚀刻速率。优良作法是仅使用稀释的BHF，然后将其丢弃，以确保过程可重复性。如果使用35°C的BHF稀释浴，则热氧化物的蚀刻速率约为/min。
另一种流行的蚀刻配方是P蚀刻：
60体积的H2O+3体积HF+2卷HNO3的值，即：
毫升H2O+15毫升HF+10毫升HNO3。
由于生长技术的缘故，P蚀刻作用在很大程度上取决于氧化物密度。文献报道了一个例子（WAPliskin，J.Vac.SciTechnol。，第14卷，第页，），表明热氧化物为/min，溅射氧化物为-/min。
为了打开硅衬底的掩模窗口，优选慢蚀刻浴。然而，蚀刻工艺可以仅用于从整个表面去除氧化膜。在这种情况下，蚀刻速度并不严格，可以使用快速溶液，例如将HF在水中以1:10的比例稀释。通过目视检查表面可以容易地评估蚀刻时间。除去氧化膜后，就会出现硅表面的金属灰色。
有时需要非常轻的蚀刻，以去除仅几个原子层。这是表面清洁和去污的情况。可以使用在水中以1:50稀释的HF。蚀刻速度将约为70/min。例如，可以用45-50秒的光蚀刻去除硅上典型的50“天然”氧化物。
请注意，必须仅在聚乙烯或特氟隆容器中处理和使用BHF和稀释的HF。任何玻璃材料也将被蚀刻。除了对操作者的潜在危险之外，这还将是蚀刻的污染源。
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